金融界2024年10月22日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市晶扬电子有限公司申请一项名为“集成肖特基二极管的屏蔽栅MOSFET器件及制备方法”的专利，公开号CN 118763117 A，申请日期为2024年9月。

　　专利摘要显示，本发明提供一种集成肖特基二极管的屏蔽栅MOSFET器件及制备方法，本发明屏蔽栅MOSFET器件包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延漂移区、漏极、源极金属电极、栅极、及屏蔽栅极，所述屏蔽栅MOSFET器件在第二导电类型体区外围设有由所述源极金属电极延伸至所述第一导电类型外延漂移区内部的接触孔，所述第二导电类型体区与接触孔侧壁之间设有第二导电类型重掺杂体区，所述接触孔内设有肖特基势垒金属，所述肖特基势垒金属与所述接触孔底部的第一导电类型外延漂移区能够构建源极的肖特基二极管，所述接触孔下方的第一导电类型外延漂移区内设有第二导电类型重掺杂屏蔽结构。本发明不会增大有源区面积，降低了器件生产成本。